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2N7002E
1.0
0.8
2.0
1.6
T A = -55°C
0.6
0.4
0.2
1.2
0.8
0.4
T A = 25°C
T A = 125°C
0
0
1 2 3 4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
5
0
0
1 2 3 4 5 6 7
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
4
Fig. 1 On-Region Characteristics
5
4
Fig. 2 Drain Current vs. Gate-Source Voltage
3
3
V GS = 4.5V
2
I D = 250mA
2
I D = 75mA
V GS = 10V
1
1
0
0
2 4 6 8 10
0
0
0.2
0.4
0.6 0.8
1.0
5
4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3 On Resistance vs. Gate-Source Voltage
350
300
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 On Resistance vs. Drain Current
3
2
V GS = 4.5V @ 200mA
250
200
150
V GS = 10V @ 250mA
100
1
50
0
-75 -50
-25 0 25
50 75
100 125 150
0
0
25
50
75
100 125
150
175
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance vs. Junction Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
2N7002E
Document number: DS30376 Rev. 14 - 2
3 of 5
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
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